HEMT de GaN de Nexperia GANB1R2-040QBA y GANB012-040CBA son transistores de alta movilidad electrónica (HEMT) bidireccionales de 40 V, 1,2 mΩ o 12 mΩ de nitruro de galio (GaN). El GANB1R2-040QBA se ofrece en un encapsulado VQFN (perfil muy delgado, cuádruple plano, sin plomo). El GANB1R2-040QBA es un dispositivo de modo eléctrico normalmente apagado que ofrece un rendimiento superior y una resistencia en estado encendido muy baja. El GANB012-040CBA de Nexperia está disponible en un encapsulado WLCSP (escala de chip a nivel de oblea). El GANB012-040CBA es un dispositivo de modo eléctrico normalmente apagado que ofrece un rendimiento superior.
