Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) NVH4L095N065SC1 de onsemi cuentan con tecnología avanzada para mejorar el rendimiento y la confiabilidad de la conmutación. El onsemi NVH4L095N065SC1 presenta una baja resistencia de encendido y un tamaño de chip compacto, lo que resulta en una capacitancia y carga de puerta reducidas. El dispositivo también presenta alta eficiencia, operación rápida, mayor densidad de potencia, menos EMI y un tamaño de sistema más pequeño.
