Los diodos de barrera Schottky (SBD) de carburo de silicio (SiC) BSD de Bourns están diseñados para aplicaciones de alta frecuencia y alta corriente que requieren una mayor capacidad de sobretensión directa, baja caída de tensión directa, resistencia térmica reducida y baja pérdida de energía. Estos componentes avanzados de brecha de banda ancha ayudan a aumentar la confiabilidad, el rendimiento de conmutación y la eficiencia en convertidores CC-CC y CA-CC, fuentes de alimentación conmutadas, inversores fotovoltaicos, motores y otras aplicaciones de rectificación. Los SBD de SiC BSD de Bourns ofrecen una operación de voltaje de 650 V a 1200 V con corrientes en el rango de 6 A a 10 A. Estos dispositivos altamente eficientes tampoco cuentan con corriente de recuperación inversa para reducir la EMI, lo que permite que los SBD de SiC reduzcan significativamente las pérdidas de energía.
