El transistor bipolar MMBT3906T PNP de Taiwan Semiconductor es un transistor de tipo plano epitaxial con conductividad eléctrica mejorada. Este transistor está diseñado con voltaje de base de colector de -40 V (VCBO), tensión de emisor de colector de -40 V (VCEO) y tensión de base de emisor de -5 V (VEBO). El transistor PNP MMBT3906T tiene una corriente de colector de -200 mA y una disipación de potencia (PD) de 150 mW. Este transistor no contiene halógenos según las normas IEC 61249-2-21 y cumple con RoHS. Algunas de las aplicaciones incluyen electrónica de consumo, amplificadores de baja frecuencia y controladores.
