El MOSFET de trinchera de canal P Nexperia PXP010-20QX es un transistor de efecto de campo (FET) VDS de -20 V, modo de mejora de canal P. Este MOSFET de trinchera de canal P viene en un dispositivo montado en superficie (SMD) MLPAK33 (SOT8002). El MOSFET PXP010-20QX presenta un voltaje de umbral bajo, tecnología MOSFET de trinchera, un rango de temperatura de funcionamiento de -55 °C a 150 °C y una corriente de drenaje de -17,1 A. Las aplicaciones típicas incluyen un interruptor de carga de alta tensión, administración de baterías, conversión de CC a CC y circuitos de conmutación.
