Diodos incorporados El transistor de avalancha de baja tensión FMMT411FDBWQ es un transistor bipolar plano de silicio diseñado para operar en modo de avalancha. El estricto control del proceso y el empaque de baja inductancia producen pulsos de alta corriente con flancos rápidos. Este transistor de unión bipolar (BJT) con diodo incorporado está diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones automotrices.
