Los FET de GaN de 650 V y 30 mΩ LMG3522R030 de Texas Instruments incluyen un controlador integrado y protecciones para convertidores de potencia de modo conmutado. El LMG3522R030 integra un controlador de silicio que permite velocidades de conmutación de hasta 150V/ns. El dispositivo implementa la polarización de puerta de precisión integrada de TI, lo que da como resultado una SOA de conmutación más alta que los controladores de puerta de silicio discretos. Esta integración, combinada con el paquete de baja inductancia de TI, proporciona una conmutación limpia y un timbre mínimo en topologías de fuentes de alimentación conmutadas. Una fuerza de accionamiento de compuerta ajustable permite el control de la velocidad de respuesta de 20 V/ns a 150 V/ns, que se puede utilizar para controlar EMI y optimizar activamente el rendimiento de conmutación.
