Los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) modelo BID de Bourns combinan la tecnología de una puerta MOSFET y un transistor bipolar y están diseñados para aplicaciones de alto voltaje/alta corriente. Los IGBT modelo BID utilizan tecnología avanzada de parada de campo de compuerta de trinchera para proporcionar un mayor control de las características dinámicas, lo que da como resultado un voltaje de saturación de colector-emisor más bajo y menos pérdidas de conmutación. Los IGBT cuentan con un rango de temperatura de funcionamiento de -55 °C a +150 °C y están disponibles en paquetes TO-252, TO-247 y TO-247N. Estos componentes térmicamente eficientes proporcionan una menor resistencia térmica, lo que los convierte en soluciones IGBT adecuadas para aplicaciones de fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) y corrección del factor de potencia (PFC).
