Los inductores de potencia de bobina en chip Murata DFE21CCNxEL cuentan con un aumento del 20 % en la corriente de saturación (ISAT) y una reducción del 50 % en la resistencia de CC (RDC) en comparación con los modelos anteriores. Estos parámetros ayudan a aumentar los niveles de eficiencia operativa y permiten reducir el tamaño de los diseños del sistema. Los electrodos en forma de L permiten que estos componentes alcancen niveles de densidad considerablemente más altos. Los inductores de potencia de bobina de chip Murata DFE21CCNxEL están disponibles en un tamaño de carcasa 0805. Estos componentes están diseñados para usarse en teléfonos inteligentes 5G, convertidores CC/CC y circuitos de administración de energía.
