Los transistores Qorvo QPD1028 y QPD1028L 750W GaN en SiC son dispositivos discretos de nitruro de galio en carburo de silicio HEMT (transistores de alta movilidad de electrones) que operan desde 1,2 GHz a 1,4 GHz. Estos dispositivos proporcionan 59 dBm de potencia de salida. eficiencia de drenaje. Los transistores QPD1028 y QPD1028L están preajustados internamente para un rendimiento óptimo y pueden admitir operaciones de onda continua y pulsada. Los transistores Qorvo QPD1028 y QPD1028L GaN en SiC están alojados en una carcasa de cavidad de aire NI-780 estándar de la industria y son ideales para aplicaciones de radar. El paquete QPD1028L incluye una brida de oreja para la colocación de tornillos.
