Littelfuse LSIC1MO170T0750 SiC N-channel MOSFET es un MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1700V optimizado para aplicaciones de alta frecuencia y alta eficiencia. Este MOSFET presenta una carga de puerta de 11 nC extremadamente baja, una capacitancia de salida baja de 11,5 pF y una resistencia de puerta baja de 29 Ω para conmutación de alta frecuencia. El MOSFET LSIC1MO170T0750 también tiene una resistencia de estado de fuente de drenaje ultrabajo de 750 mΩ (típico, en ID = 2A, VGS = 20V). La baja carga en la puerta y la resistencia de activación de este dispositivo se traducen en menores pérdidas de conducción y conmutación, respectivamente. El Littelfuse LSIC1MO170T0750 SiC MOSFET se ofrece en una carcasa TO-263-7L con espacio adicional entre la fuente y los pines de la puerta. La clavija de fuente separada reduce significativamente el efecto de la inductancia de la fuente parásita en el controlador, lo que ayuda a mejorar la eficiencia en aplicaciones de alta potencia.
