Los transistores de efecto de campo poseen características que permiten la realización de excelentes osciladores, como el que mostramos en la figura, que opera de 4 a. 18 MHz. El transistor usado es un FET de unión, como el BF245 o MPF102, y no hay circuito tanque sintonizado. El choque RF debe tener una impedancia suficientemente alta en la frecuencia de resonancia del cristal, para permitir el pasaje de la señal hacia la salida. El cristal es del tipo fundamental y la serial de salida variará de intensidad conforme a la frecuencia. El consumo de corriente de este circuito es bastante bajo, inferior a 10 mA, y si se notara poco rendimiento, se puede sospechar la inversión de los terminales D y S que en los transistores de este tipo son intercambiables.
