Los transistores de efecto de campo poseen características que permiten la realización de excelentes osciladores, como se muestra en la figura, que opera de 4 a 18MHz. El transistor utilizado es un FET de unión, como el BF245 o MPF102, y no hay circuito de tanque sintonizado. El choque de RF debe tener una impedancia suficientemente alta en la frecuencia de resonancia del cristal, para permitir el paso de la señal a la salida. El cristal es del tipo fundamental y la señal de salida variará de intensidad según la frecuencia. El consumo de corriente de este circuito es bastante bajo, inferior a 10 mA, y si hay poco rendimiento, se puede sospechar la inversión de los terminales D y S.
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