Presentamos dos circuitos para la amplificación de señales infrarrojas moduladas que se pueden utilizar en controles remotos, enlaces de datos y aplicaciones similares.
Los circuitos presentados son sugeridos por Texas Instruments (www.ti.com) utilizando foto-diodos de gran superficie y transistores de efecto de campo de junción.
El primer circuito se muestra en la figura 1 y utiliza el diodo en el modo de funcionamiento por corriente de fuga.
En él, los portadores de carga liberados por la incidencia de radiación en el diodo, hacen que la corriente resultante genere una señal sobre la resistencia R1.
Esta señal se aplica a la conducción del transistor de efecto de campo, siendo amplificado.
En el segundo circuito, mostrado en la figura 2, el diodo opera en el modo generador, es decir, generando una tensión de señal cuando incide la radiación modulada.
Esta tensión aparece sobre el resistor de carga R1 y se aplica a la conducción del transistor de efecto de campo de unión mediante condensador C1
Los valores de los resistores se determinan por las características de la señal que debe ser captada y por el foto-diodo usado.
En ambos casos, los transistores de efecto de campo de unión admite equivalentes.
