| MOSFETs | BIPOLAR |
| Dispositivo de portadores de carga mayoritarios | Dispositivo de portadores de carga minoritarios |
| No presenta efectos de almacenamiento de cargas | Muestra efectos de almacenamiento de cargas entre la base y el colector |
| Alta velocidad de conmutación, menos sensible a la temperatura que los bipolares Baja velocidad de conmutación, sensible a la temperatura | Baja velocidad de conmutación, sensible a la temperatura |
| Corrente de Drift (proceso rápido) | Corrente de difusión (proceso lento) |
| Excitado por tensión | Excitado por corriente |
| Impedância de entrada puramente capacitiva; no requiere corriente DC | Baja impedância de entrada; requiere corriente DC |
| Circuito de excitación simple | Circuito de excitación completa debido a alta corriente de base requerida |
| Coeficiente de temperatura predominantemente negativo em la resistência | Coeficiente de temperatura predominantemente positivo em la corriente de coletor |
| Sin deriva térmica | Presenta deriva térmica |
| Los dispositivos se pueden conectar en paralelo con algunas precauciones | Los dispositivos no se pueden conectar en paralelo fácilmente debido a problemas de boda de Vbe y concentración local de corrientes. |
| Menos susceptible a la segunda barrera de rotura | Susceptíble a la segunda barreira de rotura |
| Característica I-V siguiendo la ley del cuadrado en bajas corrientes, y característica I-V linear para altas corrientes | Característica I-V exponencial |
| Operación lineal mayor y menos armónicas | Mayores productos de intermodulación y modulación cruzada |
| Baja resistencia en el estado on (baja tensión de saturación) debido a la modulación de conductividad de la región de alta conductividad | Alta resistencia en el estado on y por lo tanto mayores pérdidas de conducción |
| Corriente de dreno proporcional a la anchura del canal | Corriente de colector proporcional a la anchura del canal. Corriente de colector aproximadamente proporcional a la longitud de la línea de emisor y su área |
| Baja transcondutância | Alta transcondutância |
| Alta tensión de ruptura debido a región levemente dopada de la región de bloqueo del canal de dreno. | Alta tensión de rotura debido a la región ligeramente dopada de la junción base-colector. |