TK040N65Z MOSFET de canal N para 650 V de Toshiba
Disponibles a través de Mouser Electronics, los MOSFET de canal N de Toshiba con tensiones drenaje-fuente de 650 V pueden disipar hasta 360 W y tienen cadenas de drenaje hasta 228 A. La resistencia típica de conducción con 10 V y 28,5 A es 0,033 ohms.
