El circuito mostrado en la figura 1 está indicado para la sustitución de LED de alta potencia en circuitos que emplean lámparas halógenas de baja tensión. (2005)
Esta configuración hace uso de un circuito integrado y un MOSFET de potencia, siendo sugerida por Zetex (www.zetex.com).
Este tipo de circuito se utiliza cada vez más, ya que los LED de alta potencia se están volviendo más comunes y baratos, con un rendimiento mayor que el de las lámparas.
En este circuito, tenemos una fuente conmutada basada en CI, la cual clave el transistor para producir pulsos de alta intensidad y corta duración para alimentación de los LED.
La tensión V (L1) que se genera en el inductor es que alimenta básicamente el circuito. En función de esta tensión se pueden calcular las demás tensiones del circuito por la fórmula:
Vin = Vf - V (L1)
Donde Vin es la tensión de entrada, Vf la tensión de alimentación de los LED en conducción, y V (L1) la tensión generada en L1 por su conmutación.
Para este circuito el tiempo de no conducción se fija en aproximadamente 1,7 us y el tiempo on se fija en 3.3 us.
La frecuencia de funcionamiento del circuito es de aproximadamente 200 kHz.
El diodo utilizado debe ser del tipo Schottky, con alta velocidad de conmutación y baja caída de tensión cuando se polariza en el sentido directo.